桦特可控硅整流器

    应当G-S极间短路一下。这是因为G-S结电容上会充有少量电荷，建立起ＶGＳ电压，造成再进行测量时表针可能不动，只有将G-S极间电荷短路放掉才行。（4）用测电阻法判别无标志的场效应管首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚，也就是源极Ｓ和漏极Ｄ，余下两个脚为第.一栅极G1和第二栅极G2。把先用两表笔测的源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻值记下来，对调表笔再测量一次，把其测得电阻值记下来，两次测得阻值较大的一次，黑表笔所接的电极为漏极Ｄ；红表笔所接的为源极Ｓ。用这种方法判别出来的Ｓ、Ｄ极，还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证，即放大能力大的黑表笔所接的是Ｄ极；红表笔所接地是８极，两种方法检测结果均应一样。当确定了漏极Ｄ、源极Ｓ的位置后，按Ｄ、Ｓ的对应位置装人电路，一般G1、G2也会依次对准位置，这就确定了两个栅极G1、G2的位置，从而就确定了Ｄ、S、G1、G2管脚的顺序。（5）用测反向电阻值的变化判断跨导的大小对ＶＭＯＳＮ沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用红表笔接源极Ｓ、黑表笔接漏极Ｄ，这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的，管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档。一台仪表可以同时控制多台触发板。桦特可控硅整流器

    它可广.泛的应用于工业各领域的电压电流调节，适用于电阻性负载、电感性负载、变压器一次侧及各种整流装置等，主要应用于以下负载：*以镍铬、铁铬铝、远红外发热元件及硅钼棒、硅碳棒等为加热元件的温度控制。*盐浴炉、工频感应炉、淬火炉、熔融玻璃的温度加热控制。*白金漏板、石墨、钼丝、钼棒、不锈钢等特殊负载的控制。*整流变压器、调功机（纯电感线圈）、电炉变压器一次侧、直流电机控制。*单相电焊机控制、高压静电除尘设备、植绒设备等各种调压场合*电压、电流、功率、灯光等无级平滑调节。一．技术规格?功率元件：进口单向反并联可控硅（晶闸管）模块?负载电源：单相220、380VAC±10%50HZ?电流容量：25A50A、100A150A200A250A350AAC?控制板电源与功耗：220或380VAC±10%50HZ通用,功耗：2W比较大?风扇电源(根据型号配备)：电压：220VAC电流：A以下?自动控制输入：4~20mADC输入,接收阻抗120Ω；（默认输入信号）0~5VDC输入,输入电阻>20KΩ（定货时需说明）0~10VDC输入,输入电阻>20KΩ（订货声明）?LED状态显示LED名称功能状态颜色现象含义POW电源指示1红色亮电源正常TH温度指示2红色亮装置温度异常IH过流指示3红色亮过电流?控制方式：调相控制：连续调压。无锡可控硅芯片厂家当采用远端温度检测器时，整流器/充电机应自动调节蓄电池浮充电压（一般按−5mv/只/℃）。

    P3电位器调整。调整范围*电压限制：板内P1电位器或外接10KΩ电位器调整。调整范围0~百分.百*电流限制（选件）：内置电流变换器，外接10KΩ电位器调整。调整范围20%~百分.百*过流报警（选件）：内置电流变换器，板内P2电位器调整。调整范围百分.百~150%*散热器超温保护:75℃温度开关，常闭接点动作时间：

    可控整流电路的作用是把交流电变换为电压值可以调节的直流电。图20－1所示为单相半控桥式整流实验电路。主电路由负载RL（灯炮）和晶闸管T1组成，触发电路为单结晶体管T2及一些阻容元件构成的阻容移相桥触发电路。改变晶闸管T1的导通角，便可调节主电路的可控输出整流电压（或电流）的数值，这点可由灯炮负载的亮度变化看出。晶闸管导通角的大小决定于触发脉冲的频率f，由公式图1单相半控桥式整流实验电路可知，当单结晶体管的分压比η（一般在～）及电容C值固定时，则频率f大小由R决定，因此，通过调节电位器Rw，使可以改变触发脉冲频率，主电路的输出电压也，从而达到可控调压的目的。用万用电表的电阻档（或用数字万用表二极管档）可以对单结晶体管和晶闸管进行简易测试。图2为单结晶体管BT33管脚排列、结构图及电路符号。好的单结晶体管PN结正向电阻REB1、REB2均较小，且REB1稍大于REB2，PN结的反向电阻RB1E、RB2E均应很大，根据所测阻值，即可判断出各管脚及管子的质量优劣。图2单结晶体管BT33管脚排列、结构图及电路符号图3为晶闸管3CT3A管脚排列、结构图及电路符号。晶闸管阳极（A）—阴极（K）及阳极（A）—门极（G）之间的正、反向电阻RAK、RKA、RAG、RGA均应很大。可控硅触发板是通过调整可控硅的导通角来实现电气设备的电压电流功率调整的一种移相型的电力控制器。

    5.光控晶闸管检测用万用表检测小功率光控晶闸管时，可将万用表置于R×1档，在黑表笔上串接1～3节1．5V干电池，测量两引脚之间的正、反向电阻值，正常时均应为无穷大。然后再用小手电筒或激光笔照射光控晶闸管的受光窗口，此时应能测出一个较小的正向电阻值，但反向电阻值仍为无穷大。在较小电阻值的一次测量中，黑表笔接的是阳极A，红表笔接的是阴极K。也可用图lO中电路对光控晶闸管进行测量。接通电源开关S，用手电筒照射晶闸管VT的受光窗口。为其加上触发光源(大功率光控晶闸管自带光源，只要将其光缆中的发光二极管或半导体激光器加上工作电压即可，不用外加光源)后，指示灯EL应点亮，撤离光源后指示灯EL应维持发光。若接通电源开关S后(尚未加光源)，指示灯FL即点亮，则说明被测晶闸管已击穿短路。若接通电源开关、并加上触发光源后，指示灯EL仍不亮，在被测晶闸管电极连接正确的情况下，则是该晶闸管内部损坏。若加上触发光源后，指示灯发光，但取消光源后指示灯即熄灭，则说明该晶闸管触发性能不良。(1)判别各电极：根据BTG晶闸管的内部结构可知，其阳极A、阴极K之间和门极G、阴极K之间均包含有多个正、反向串联的PN结，而阳极A与门极G之问却只有一个PN结。因此。在备用UPS中只需要给蓄电池充电，不需要给负载供电，故只有充电机。桦特可控硅整流器

整流器/充电机应有蓄电池充电电流限流电路，将蓄电池充电电流限制到UPS额定输出容量（KW）的15%。桦特可控硅整流器

    控制交流负载回路的通断，通常会用到继电器。继电器是机械式触点的电磁元器件，可以实现弱电控制强电的目的。但是在带电流分断负载回路时，会产生电弧腐蚀触点，降低了继电器的使用寿命，并且继电器触点的响应时间在ms级别，不适合用于高速通断的回路中。题目不想用继电器来控制交流回路的通断，那么可以考虑使用可控硅来实现。1什么是可控硅可控硅是具有四层结构的PNPN型半导体器件，可以看作是由两个三极管所构成的元器件，可控硅的半导体结构如下图所示。可控硅从导通方向可以分为单向可控硅SCR和双向可控硅Triac。单向可控硅的三个电极分别是阳极A、阴极K和控制极G；双向可控硅的三个电极分别为T1，T2以及控制G。可控硅的在导通后，及时将控制信号去掉，可控硅仍然处于导通状态。在交流负载回路中，一般使用双向可控硅。2可控硅控制回路的设计单片机控制可控硅回路的通断时，比较好使用光耦做隔离。所设计的可控硅控制电路如下图所示。单片机的输出端接三极管的基极，通过三极管来控制光耦的通断，图中以灯泡作为负载。当单片机输出高电平时，光耦导通，此时可控硅的控制极有触发信号，并且T1和T2上的交流电源满足导通条件。单片机输出低电平时，光耦截止。桦特可控硅整流器

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